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Package Information
Vishay Siliconix
TSOP: 5/6?LEAD
JEDEC Part Number: MO-193C
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MILLIMETERS
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Min
0.91
0.01
0.90
0.30
0.10
2.95
2.70
1.55
Nom
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0.32
0.15
3.05
2. 8 5
1.65
Max
1.10
0.10
1.00
0.45
0.20
3.10
2.9 8
1.70
Min
0.036
0.0004
0.035
0.012
0.004
0.116
0.106
0.061
Nom
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0.03 8
0.013
0.006
0.120
0.112
0.065
Max
0.043
0.004
0.039
0.01 8
0.00 8
0.122
0.117
0.067
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0.95 B S C
0.0374 B S C
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1. 8 0
0.32
1.90
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2.00
0.50
0.071
0.012
0.075
-
0.079
0.020
L 1
L 2
0.60 Ref
0.25 B S C
0.024 Ref
0.010 B S C
R
0.10
0
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0.004
0
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4
-
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7 Nom
7 Nom
ECN: C-06593-Rev. I, 1 8 -Dec-06
DWG: 5540
Document Number: 71200
18-Dec-06
www.vishay.com
1
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